Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя

1. Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме

Употребляется в документе:

ГОСТ 27299-87

Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров