Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

1. Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Употребляется в документе:

ГОСТ 27299-87

Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров